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氮化衬底及其生产技术

氮化衬底用于氮化生长的最理想的衬底自然是氮化单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

氮化紫外和白光led研究的新反应堆

aixtron的硒今天宣布,从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置,这将被专用氮化物材料的成长紫外线和白堆指示

  http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06

led照明商场迎来开展机缘 稀有金属和铟或获益

d照明的需要正疾速晋升,给有关的稀有金属资料需要带来无穷机缘。led的中心资料是(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光资料。当前,根据宽禁带半导体资料氮化

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28

高效eu2+掺杂的氮化物和氮氧化物光转换荧光体白光led

类荧光体成为一朵耀眼的奇葩。   在固态照明推动下,从 2000 年以来,一类热稳性好,化学稳定性和发光特性优良的无毒的稀土激活的氮化物和氮氧化物被强有力的发展,尤以 eu2

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00

非直接俄歇效应是氮化物基led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物基led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

加州大学学者宣称发现氮化物led光效下降主因

相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中,用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00

imec发布200毫米cmos硅衬底晶片生产技术

imec(interuniversity microelectronics centre,欧洲微电子研究中心)近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化工业联盟计划(iia

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00

[转载]2011年gan led市场有望增长38% 达到108亿美元

ims research最新发布的“氮化季度led供需报告”中指出,2011年氮化(蓝/绿)led市场销量预计将增长49%至62亿个,销售额将增长38%至108亿美元,

  http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00

aixtron收到三星led下达的mocvd设备订单

及固态照明应用的基于氮化的高亮度蓝光、白光led。aixtron指出,三星led过去一直使用aix 2800g4 ht基于氮化的mocvd系统,并于2010年购买了2台g5系

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/23/180211.html2011/5/23 22:56:00

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