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晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
本文阐述了led晶圆的制作工艺，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:35:13
激光加工是非接触式加工，作为传统机械锯片切割的替代工艺，激光划片切口非常小，聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料，在led有源区之间制造非常细小的切口，从而能够在有限面
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30
松下电工成功开发出通过晶圆级接合，将封装有led的晶圆和配备有光传感器的晶圆合计4枚晶圆进行集成封装。该公司为了显示其晶圆级封装（wlp）的技术实力，在“第20届微机械/mems
https://www.alighting.cn/resource/20090805/128723.htm2009/8/5 0:00:00
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
主要内容：hb-led制造费用分解表、晶圆级芯片市场封装趋势、led封装类型的发展趋势、晶圆级封装技术的注意事项、led wlp的产业发展等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/6/105355_26.htm2011/12/6 10:53:55
激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多，所以使得材料利用率显著提高，因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺，刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小，这就使得晶圆颗粒之
https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
