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将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan LED衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（LED）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
1993年世界上第一只gan基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底LED芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
上困难,很多人试图将gan光电器件直接生长在硅衬底上,从而改善导热和导电性能。硅衬底目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式,分别是l接
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。 硅衬底 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是l接触（laterial-contact ,水平接
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
型器件大电流工作下问题十分突出。碳化硅sic作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石,目前还没有第三种衬底用于gan LED的商业化生产。sic衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
底对光的吸收严重,LED出光效率低目前国外文献报导的硅衬底上蓝光LED光功率最好水平是420mw,是德国magdeburg大学研制的。日本nagoya技术研究所今年在上海国际半导体照
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
imec（interuniversity microelectronics centre，欧洲微电子研究中心）近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化镓工业联盟计划（iia
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ganLED外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
