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据悉，来自美国国家标准与技术研究所（nist）的纳米线开发科学家成功开发出了紫外发光二极管（LED），由于采用了特殊类型的外壳，其发光强度是基于更简单外壳的同类LED产生的光强
https://www.alighting.cn/pingce/20190328/161136.htm2019/3/28 9:54:40
根据丹麦哥本哈根大学(university of copenhagen)玻尔研究所(niels bohr institute;nbi)的研究证实，采用纳米线制成的LED只需使用更
https://www.alighting.cn/pingce/20150701/130564.htm2015/7/1 17:28:43
2007年5月29日，美国国家标准技术研究院(nist)与马里兰大学及霍华德大学合作开发微小、高效、纳米线紫外(uv)LED。nist指出uv-LED对数码存储器和生物传感器件非
https://www.alighting.cn/news/20070531/103009.htm2007/5/31 0:00:00
日前，美国佐治亚理工学院的研究人员利用氧化锌纳米线大幅提升了氮化镓发光二极管(LED)将电流转化为紫外线的效能。这个装置被认为是首个通过压电—光电效应在压电材料中产生电荷，从而
https://www.alighting.cn/news/20111116/n786235766.htm2011/11/16 9:52:06
合发光二极管（LED）的简易方法。该方法由于使用独立（free-standing）的zno纳米线薄片，因此有可能在低成本的前提下，制造出在紫外或可见光波段操作的可挠
https://www.alighting.cn/resource/20091216/128756.htm2009/12/16 0:00:00
美国国家标准技术研究院与马里兰大学及霍华德大学合作开发微小、高效、纳米线紫外LED。nist指出uv-LED对数码存储器和生物传感器件非常重要。
https://www.alighting.cn/news/200765/V2474.htm2007/6/5 17:00:25
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
在这些研究中，天野着重强调了功率器件应用的重要性。这是因为与si相比，gan的带隙大、导热率高，具备适用于功率器件的特性，有望起到良好的节能效果。
https://www.alighting.cn/news/20141028/n812266709.htm2014/10/28 9:20:42
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
纳米级硅晶体具有发光潜能，德国kit和多伦多大学的科学家成功地采用这些晶体生产出硅基LED(siLEDs)。
https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121868.htm2013/3/6 16:16:32
