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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长InGaN材料和InGaN/gan量子阱结构材料。研究发现,InGaN材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
氮化铟镓(InGaN)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
vishay日前宣布推出新系列超亮白光smd led，这些器件采用高效的InGaN技术，可在0603的占位面积上实现出色的亮度。
https://www.alighting.cn/news/20070519/120664.htm2007/5/19 0:00:00
电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(InGaN)与砷化铝镓(algaas)活性层的晶格排列更平
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (10×10) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47
质的InGaN，并首次使用这一材料制造出最高品质的蓝、绿光led，实现着一个又一个的第一
https://www.alighting.cn/resource/20070903/128523.htm2007/9/3 0:00:00
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光led活跃层的必要物质。
https://www.alighting.cn/news/20090227/103771.htm2009/2/27 0:00:00
日前，vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光smd led，这些器件以低于标准InGaN蓝光le
https://www.alighting.cn/news/20070622/117695.htm2007/6/22 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (14×14) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58
