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对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：?;蓝宝石(al2o
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： ·蓝宝石（al2o
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于gan基LED的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan LED衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（LED）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
1993年世界上第一只gan基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
械加工性能比较差。 另外,sic衬底吸收380 nm以下的紫外光,不适合用来研发380 nm以下的紫外LED。由于sic衬底优异的的导电性能和导热性能,不需要象al2o3衬底上功率
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
si衬底LED芯片制造工艺 si衬底LED封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节p型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
我国蓝宝石衬底的研发起步较早，早期的研究和生产主要集中在科研院所，主要面向国防等重大工程应用，致力于商业化衬底生产的企业并不多。随着我国LED外延生产规模的提升，特别是近2年
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/4/8/150278.html2011/4/8 13:10:00
衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光LED外延片，x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达到了市场上蓝宝石衬底gan LED水平。2 外延生长技术实现gan基材料生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
