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al-n共掺杂zno电子结构和光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了al-n共掺杂zno的电子结构和光学性质。计算了al-n复合体共掺zno的结合能,发现al-n复合体可以在zno中稳定存在,因此al-n共掺可

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55

大功率led封装用散热铝基板的制备与性能研究

通过正交试验分析了阳极氧化法制备led封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127154.htm2011/9/14 9:03:57

蓝紫光ingan多量子阱激光器

n的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3ka/cm2,特征温度为145k

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

蓝宝石基底上高密度定向单壁碳纳米管阵列的控制生长

中碳纳米管的结构完美、定向度高,密度在20根/μm左右.在生长过程中,保持基底表面干净是合成高密度定向阵列的关键,水在其中起到了关键的作用,同时,在基底表面被覆盖的区域,碳纳米管不

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35

蓝宝石衬底上gan/al_xga_(1-x)n超晶格插入层对al_xga_(1-x)n外延薄膜应变及缺陷密度的影响

n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01

非极性gan用r面蓝宝石衬底

:平均半峰宽值为19.4arcsec;位错密度为5.6×103cm-2,波长大于300nm时的平均透过率大于80%;光学均匀性δn=6.6×10-5;平均表面粗糙度为0.49nm.结

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

sapmac法蓝宝石单晶的生长、检测与超声震动加工

c;缺陷密度在102/cm2水平,纯度高于99.995%,常温下晶体在3~5μm波段红外透过率高于85%;用超声振动加工技术对大尺寸蓝宝石单晶进行加工,设计了专用金刚石磨削复合刀

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52

led显示屏用led封装技术具体要求

led显示屏的发展前景极为广阔,目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性,可靠性、全色化方向发展。

  https://www.alighting.cn/resource/20110827/127248.htm2011/8/27 15:15:20

algan势垒层应变弛豫度对高al含量al_xga_(1-x)n/gan hemt性能的影响

度以及二维电子气(2deg)薄层电荷密度的影响.利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压的关系,采用非线性电荷控制模型解析求解了应变弛豫度对alxga1-xn/ganhemt直流输出特

  https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55

led显示屏低灰信号起辉条件合理性探讨

新频率,高显示密度的显示效果;另一方面又努力强调低成本,采用一些技术参数达不到设计要求的部件。这种做事方式势必导致一种相反的结果,实际上led显示屏的显示效果与期望的显示效果背道而

  https://www.alighting.cn/resource/20110808/127335.htm2011/8/8 13:18:34

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