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本文介绍了有源oled的像素驱动电路,分析了彩色灰度实现方法,提出了时间子场的数字灰度技术结合数字像素电路的驱动电路设计方案。
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125607.htm2013/5/14 11:32:35
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转移
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
本文基于pt4115设计了一种可调光的buck型大功率led驱动电路,对其外围电路进行了优化设计,并针对负载电流热补偿和降低输出纹波进行了电路的改进。
https://www.alighting.cn/resource/20130412/125741.htm2013/4/12 10:33:47
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种led的反
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
