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有较好的C轴择优取
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有C轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apCvd)生长的3C siC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3C siC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
片机C8051f040为核心,结合外围电路,用数字控制技术代替模拟电路控制,对大功率led的恒流驱动电流进行高精度控制,以及对led亮度进行自动调节控制,实现了多种大功率led智能
https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:21:57
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )C面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
在led显示屏系统中采用tC35模块,实现了led显示屏的无线数据通信,着重介绍了tC35模块的硬件电路和编码方法。
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127071.htm2011/9/27 14:00:30
5 、rx7s 、par30、par20、mr16、mr11、ar111、ar80、ar70、plC、g6.35 、g5.3、g4)；3、不同的反射器配光(10°、24°、45°)；
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/23/153631_03.htm2011/9/23 15:36:31
对gainp2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当gainp2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,ⅴ/ⅲ为180～220时,获得了满足级联电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
1、220和311三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过raman测量,计算出其晶化率为35%左右
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高C轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
