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pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米柱状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米柱具

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

sio2/si衬底制备zno薄膜及表征

m,hall和pl对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的zno薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47

厂商扩产明显,降价压力加大—led 衬底行业报告

本文为华泰证券关于led衬底最新的行业报告,推荐下载,一块完整的led芯片大致由衬底、外延层、金属电极引脚和封装外壳四个主要部分构成。其中,衬底和外延层是整个led芯片的最为重要的

  https://www.alighting.cn/resource/20111012/127026.htm2011/10/12 11:20:41

led蓝宝石基板介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(al2o3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有a-plane,c-plane及r-plane.由

  https://www.alighting.cn/2011/9/22 15:43:12

gasb衬底上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

cu掺杂zno薄膜的光学性质

采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13

aln缓冲层对algan表面形貌的影响

使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

amoled电流镜像像素电路的稳定性分析

在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

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