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本文充分利用宽广阵容的模拟电源ic、分立器件及先进微封装，提出了一种基于配合通用照明趋势的高能效led驱动器方案。该方案提供了与众不同的高能效led驱动器设计方案，经验证该方
https://www.alighting.cn/2013/12/9 14:31:02
led 显示屏（led panel）：led 就是light emitting diode ，发光二极管的英文缩写，简称led。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，其大概的
https://www.alighting.cn/resource/20131127/125077.htm2013/11/27 10:09:36
n sapphire之效率。在未来，就成本面观之，透过缩短磊晶和烘烤腔体的时间、降低腔体维护成本、可大电流操作之优势和垂直型结构之制作成本等，搭配氮化镓基板成本下降之趋势，gan on ga
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底
https://www.alighting.cn/resource/20131028/125183.htm2013/10/28 15:04:32
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
n,最后蒸镀ti(100nm)/au(1000nm)用于保护al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
本书从led芯片制作、led封装和led应用等方面介绍了的基本概念，与相关技术，详细讲解了led封装过程中和开发应用产品时应该注意的一些技术问题，特别是led应用的驱动问题、散
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/17/171949_90.htm2013/9/17 17:19:49
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https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28
