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正装结构和垂直结构的芯片是gan与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。gan的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
倒装芯片的实质是在传统工艺的基础上，将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面这时则由电极区面朝向灯杯底部进行贴装，可以省掉焊线这一工序，但是对固晶这段工艺的精度要求较高，一般很
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125401.htm2013/8/16 10:03:48
飞利浦lumileds照明公司推出它的新薄膜倒装芯片技术，比其它薄膜倒装芯片技术架构多17%的光输出。薄膜倒装芯片技术汲及蓝宝石衬底的移除和芯片发光表面的加工来提高光输出效率。公
https://www.alighting.cn/resource/20070712/128515.htm2007/7/12 0:00:00
摘要：结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55
结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的gan 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
前面小编已经为大家讲解了在伪单层上完成重新布线层布线的方法的其中的“倒装芯片结构与焊盘分配及布线方案”等，这里将继续为大家讲解：重新布线的替代性框架，验证有效性等相关布线技术。保
https://www.alighting.cn/resource/20150112/123756.htm2015/1/12 16:20:57
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件，描述了大功率led器件的热阻特性，建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线，以三类典型粘
https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37
