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功率mosfet的特性

本文详细介绍了功率mosfet的特性,详情请看下文。

  https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:40:42

in组分对ingangan蓝光led的发光性质的影响

~160k 条件下造成很大的势垒,从而碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

关于散器选择的计算方法

关于散器选择的计算方法一,用于计算的参数定义:rt─── 总内,℃/w;rtj───器件的内,℃/w;rtc───器件与散器界面间的界面,℃/w;rtf─── 散

  https://www.alighting.cn/resource/20150311/83326.htm2015/3/11 16:07:49

led散失败原因为何?

led照明中,无论是什么种类,什么品质,都逃不开散热问题。led照明散热失败能够导致很多不必要的情况发生,造成的损失不可估量。那么led散热成败的关键在哪?失败的原因是什么?答案就

  https://www.alighting.cn/2015/3/9 13:31:28

led封装的“避雷针”

在led封装制程中,硫化现象主要发生在和点胶封装工序,发生硫化的主要是含银的材料(镀银支架和导电银胶)和硅性胶材料。

  https://www.alighting.cn/2015/3/9 13:29:15

谁能拯救寿命之困?led散基板来揭晓

led可能的散途径为直接从空气中散,或经由led粒基板至系统电路板再到大气环境。而散由系统电路板至大气环境的速率取决于整个发光灯具或系统之设计。

  https://www.alighting.cn/2015/3/5 13:23:48

功率型led封装键合材料的有限元分析

建立了功率型led结构,分析了其模型,对采用高导导电银胶、纳米银焊膏、大功率芯片键合胶、sn70pb30四种键合材料的led 进行了ansys有限元软件仿真对比研究。结果表

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123532.htm2015/3/5 9:42:57

超声倒装焊在制作大功率gan基

测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的gan 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将超声倒装焊接技术用于制

  https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51

cob光源温度分布与测量

高光通量密度输出,荧光胶吸光转成造成的;另一方面则是发光面的温度不适合采用电偶进行接触测

  https://www.alighting.cn/2015/2/28 11:50:43

玻璃管led模组的性能研究

提出了使用玻璃管散的led光源模组结构。研究了玻璃管结构尺寸、玻璃管光源放置方向、玻璃管内壁和外壁贴装led元件等因素对led结温的影响。

  https://www.alighting.cn/2015/2/10 11:01:51

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