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微纳光学在led芯片中应用研究的综述

术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的量子效率,从

  https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46

led的内量子效率与电光效率原理及计算

在led的pn结上施加正向电压时,pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子,然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子,由于led的pn结作为杂质半导体,存在着材料

  https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31

基于有限元法的发光二极管光学传播模型

应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光

  https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36

提升led内量子与电光转换效率之原理解析

提高内量子效率要从led的制造材料、pn结延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint,这方面经过科技界的不懈努力,已有显着提高,从早期的百分之几

  https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27

gan led量子阱光发射模型

在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

实现200lm/w以上的发光效率和高易用性

为实现200lm/w以上的发光效率,白色led正不断进行改进。不过,白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中,温度稳定性及显色指数等能够拉开差

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40

zno/znmgo 单量子阱室温发光性质的研究

室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应,这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。

  https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45

量子点led照明与显示技术

本文是关于量子点led照明与显示方面的介绍,主要向大家介绍了量子点led照明与显示的背景与发展趋势,并重点介绍了pl qled及其应用。

  https://www.alighting.cn/resource/20161228/147195.htm2016/12/28 14:28:44

基于双光栅结构下特征参量与gan基led光提取效率的动态关系

为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29

【专业术语】量子阱(quantum well)

本文简单的介绍了量子阱(quantum well)的定义和简要的描述,希望能够给初学者借鉴。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05

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