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授就重点阐明了氮化物衬底led发展现状暨前
https://www.alighting.cn/news/20120716/89214.htm2012/7/16 14:07:41
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而且电功
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
本文追溯了氮化镓材料和蓝色发光二极管的发展历史，回顾了重要的历史事件。iii 簇氮化物是直接带隙半导体材料，发光范围紫外到红外，覆盖整个可见光区，是理想的光电器件材料。同时，具
https://www.alighting.cn/news/20150812/131735.htm2015/8/12 9:41:43
宇极芯光为一家专业led光源的制造商，是大陆首家与nims签订该协议的led封装企业。此外，同时公布签约的还有日本、台湾等国家和地区的其他四家企业。
https://www.alighting.cn/news/20190214/160311.htm2019/2/14 16:40:55
本文主要内容：氮氧化物荧光粉的开发情况、氮氧化物荧光粉的应用、结语。
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/16/115049_60.htm2012/2/16 11:50:49
一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用mocvd技术
https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。
https://www.alighting.cn/news/20070821/121190.htm2007/8/21 0:00:00
爱思强股份有限公司今日宣布，新客户位于比利时哈瑟尔特的iii 族氮化物外延材料新制造商epigan 已成功调试两套新mocvd 系统，可在6” 或8” 多项配置下运行。epiga
https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(gan)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
