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本论文主要围绕提高g8n基LED的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基LED》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newLED，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光LED，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基LED。
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29
在si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上，晶能光电硅衬底GaN基大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖，是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。
https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
底GaN基的LED研究进
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
