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使用光子晶晶体技术可以提高发光二极管的出光效率。本论文将从两种结构来验证光子晶体技术可以提高芯片的 外部量子效率。一是倒装芯片结构的使用，即将两个发光面制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
发光二极管(led)可以通过采用压印光刻的光子晶体提高效率。为了改进光提取和光束形状，很多led制造商正在开发光子晶体led。其挑战主要是晶圆并非非常清洁和平整，并容易带有数微
https://www.alighting.cn/news/20090813/92913.htm2009/8/13 0:00:00
利用实验室制备的a-igzo tft 器件进行参数提取后建立的spice 仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2t1c 和4t1c 的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4t1c
https://www.alighting.cn/2015/1/4 13:44:07
首次报道Si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同Si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
日光灯灯管我们再熟悉不过了，要是不小心磕到了，它的命运必然是碎了一地。我们常识中的灯泡、灯管都是玻璃制品，非常的脆弱。而 bxcsy 却设计了一种可以随意弯折的灯管，叫做「s
https://www.alighting.cn/pingce/20160510/140089.htm2016/5/10 9:31:30
tft-lcd结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12781.htm2007/9/12 13:59:17
