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位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和gan相分离而形成的富in类量子点结构，主导着ingan基发光二极管发光波长，体现了ingan基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
发光二极管（led）是一种由磷化镓（gap）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其
https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
https://www.alighting.cn/resource/2007720/V12678.htm2007/7/20 12:15:59
gan基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来gan基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得gan基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯、移动电话背
https://www.alighting.cn/resource/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低，导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近，mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了algan势垒层的应变弛豫度对高al含量algan/gan高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
检测单色发光二极管方式方法概要。
https://www.alighting.cn/resource/20061101/128943.htm2006/11/1 0:00:00
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
和半导体器件一样，发光二极管(led)早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分，是提高led可靠性的积极主动的方法。led失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验，再
https://www.alighting.cn/resource/200849/V15085.htm2008/4/9 11:39:48
