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[外延芯片]movcd生长氮化外延层的方法

一种用movcd生长氮化外延层和氮化发光二极管结构外延片的方法,它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

tdi公司推出用于制造led的新氮化铟镓衬底(图)

tdi公司,复合氮化半导体材料领先开发商和供应商,宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。

  https://www.alighting.cn/news/20070821/121190.htm2007/8/21 0:00:00

epigan 成功调试爱思强mocvd,用于量产6英寸硅基氮化镓晶片

爱思强股份有限公司今日宣布,新客户位于比利时哈瑟尔特的iii 族氮化外延材料新制造商epigan 已成功调试两套新mocvd 系统,可在6” 或8” 多项配置下运行。epiga

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49

美科学家研制新的氮化镓—锑合金,让光电催化水解制氢更快捷

科学家们在美国能源部的资助下,借用最先进的理论计算证明,在氮化镓(gan)化合中,2%的氮化镓由锑(sb)替代,这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳

  https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07

日本扩大基于氮化镓蓝光led的生产力

showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化镓蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万

  https://www.alighting.cn/news/2007724/V2534.htm2007/7/24 14:16:00

台湾首例氮化铝投资 led成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝,也是台湾第一个氮化铝产业;金铝公司表示,台湾氮化铝都是从外进口,自己产制后,氮化铝成本预计降低3成。

  https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00

led散热新方案,氮化硼成为关键材料

针对led的散热问题,led产业的许多先进解决方案中,处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn),该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾

  https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00

soraa新建氮化镓基板led制造工厂 2016年下半年投产

据报道,美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(gan on gan)led制造工厂。据悉,新工厂将雇

  https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54

晶电转攻氮化镓功率元件及特殊照明市场

历经过去几年惨烈价格战,led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示,晶电选择切入利基市场,聚焦氮化镓功率元件(ga

  https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56

总投资15亿!辽宁氮化镓半导体材料项目开工建设

据辽宁盘锦高新技术产业开发区报道,近日,辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目正式开工建设,这距离该项目10月4日落户盘锦高新区还不足一个月时间。

  https://www.alighting.cn/news/20191111/164987.htm2019/11/11 9:18:30

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