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cree公布SiC底板缺陷密度与芯片成品率的关系

美国大型SiC底板厂商科锐(cree)在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议(ecscrm)”上,以“defect control in si

  https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00

科锐发布口径为6英寸的SiC底板

据了解,6英寸底板量产后,SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高,有助于削减制造成本,SiC功率元件的价格有望降低。目前,部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC

  https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00

美国cree拟于2009年开始供应SiC底板

美国cree表示,计划于2009~2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸,很多元器件厂商均要求供应这种口

  https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00

SiC制功率元件前景备受期待

滨田指出,因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限,所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例,如果使用SiC制功率元件,

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31

京都大学公布SiC制bjt最新成果

日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49

cree推出更高性能的低成本SiC功率模块

cree目前推出业界首个商业化碳化硅(SiC)六只装功率模块(采用业界标准的45-mm包装)。如果取代同等额定值的硅模块,cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直

  https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17

cree推出口径为6英吋的SiC底板

美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋,约150mm的SiC底板,6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2,主要用于led、高频元件及功率半导体元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00

SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品

很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸,虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率,但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此,能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56

晶科电子:发展大功率半导体器件与智能化照明、汽车照明产品市场

新技术,打造高规格、高附加值的产品,晶科电子将大力开拓国际领先的第三代半导体器件和智能化照明、汽车照明产品市场,打造高端led器件与光引擎照明产品品

  https://www.alighting.cn/news/20161228/147192.htm2016/12/28 11:50:01

又签一单!意法半导体与罗姆旗下公司达成SiC晶圆合作

据台湾杂志《新电子》报道,罗姆半导体集团 (rohm semiconductor) 和意法半导体 (st) 宣布与罗姆旗下公司SiCrystal签署一项碳化硅 (SiC) 晶圆长

  https://www.alighting.cn/news/20200117/166255.htm2020/1/17 9:44:59

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