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采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
d芯片esd性能的影响机制，指出改善led芯片esd性能的关键方法，并介绍了外延改善led芯片esd性能的前沿研究情
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
半导体照明产业是一个新兴产业,尤其是其上游led外延及芯片制造产业在中国更是近几年才迅猛发展起来,各led外延及芯片制造企业都是在企业发展的过程中,逐步探索质量控制的途径和方法。
https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
本文介绍了国产设备在led外延芯片生产线上的应用及发展趋势，详情请看下文！
https://www.alighting.cn/2015/2/3 17:09:23
来自维易科公司的关于《外延mocvd基本原理及led各层结构》的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13
2013 版用于发改委立项高亮度led 外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告(全程辅助+专家答疑)审查要求及编制方案，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/25 11:44:13
