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在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
合不同反射功能的反光罩和遮光罩，控制光的投射方向和光束形状，同时改善照明灯具控光材料的光学性能，提高灯具的光输出效率，降低灯具溢出光及偏射光，减小人工照明形成的天空杂散光，提高照明场
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127699.htm2011/4/25 11:15:51
过去 led 业者为了获利充分的白光 led 光束，曾经开发大尺寸 led 芯片试图藉此方式达成预期目标，不过实际上白光 led 的施加电力持续超过 1w 以上时光束反而会下
https://www.alighting.cn/resource/20110418/127731.htm2011/4/18 15:21:51
过去led厂商为了获得充分的白光led光束，曾经开发大尺寸led芯片试图藉此方式达到预期目标。不过，实际上白光led的施加电力持续超过1w以上时光束反而会下降，发光效率相对降低2
https://www.alighting.cn/resource/20110310/127908.htm2011/3/10 11:37:34
电子显微镜的光源是电子束，能够看到小于0.2微米的亚显微结构，光学显微镜的光源是可见光，最大放大倍数是1500倍，不能看到亚显微结构，同样，他们的工作原理也是不一样的，本文介绍简
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128216.htm2010/11/19 13:43:20
mo源即高纯金属有机化合物是先进的金属有机化学气相沉积(简称mocvd)、金属有机分子束外延(简称mombe)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料。
https://www.alighting.cn/resource/20100727/128330.htm2010/7/27 14:51:37
