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本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜(afm)对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的i-v特性、出光功率和出光
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125863.htm2013/3/19 10:05:03
本文在宏观体块材料方面介绍了几类综合性能好的新型无机、有机非线性光学材料;在微结构非线性光学材料方面概述了光学超晶格等在设计方法上的进展，介绍了几种新型微结构材料的功能及实验结果，
https://www.alighting.cn/resource/20130312/125906.htm2013/3/12 11:04:28
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
zno既是半导体材料又是压电材料，在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质，使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对zno nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49
管是太阳能技术的发展、燃料电池使用范围的扩大，还是纳米技术的突破、电动汽车的崛起以及智能电网的飞速发展，无一不是为了实现更加环保、更加绿色的世
https://www.alighting.cn/2012/12/31 10:42:42
应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上gan的晶体特性和光学性能，并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。
https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30
光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光子晶体技术
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
