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非等温模型下led芯片性能与的关系

与其他两种的led 芯片相比,以sic 为的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下

  https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37

n极性gan薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石上外延制备了n极性gan薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

gan基倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了gan基倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

sigan基蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

在蓝光led和激光器外延片上消除弯曲

本文通过实验,仔细研究了特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33

不同基板1 w硅蓝光led老化性能研究

将硅上外延生长的氮化镓基led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

用于下一代3d-ic的晶圆熔融键合技术

在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中,尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间,主要的技术进步都已在cmo

  https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50

照明丛书:led照明应用技术

本书首先介绍了led照明的原理,并对面临的问题与挑战进行了讨论;接着详述了led制造中的几个关键问题,包括、外延、工艺和封装;随后论述了led的光电特性、led照明、色彩品

  https://www.alighting.cn/resource/2014/10/31/173922_37.htm2014/10/31 17:39:22

gan基倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

基于不同材料高出光效率led芯片研究进展

提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构

  https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38

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