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低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

2013ls中村宇极-亮度、低衰减先进LED荧光粉技术

本资料来源于2013新世纪LED高峰论坛,是由北京中村宇极科技有限公司的鲁路/副总工程师主讲的关于介绍《亮度、低衰减先进LED荧光粉技术》讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附

  https://www.alighting.cn/2013/6/19 9:50:32

全面的LED生产工艺

本文详细地讲解了LED生产的工艺技术。

  https://www.alighting.cn/2014/11/28 9:31:09

LED封装技术(全面)

这篇很全面的LED封装技术介绍资料,是由陕西科技大学、电气与信息工程学院的王进军整理的,内容很丰富,推荐给大家,欢迎下载查看。

  https://www.alighting.cn/2013/3/13 11:18:32

无锡灵山梵宫大功率LED灯具及系统的方案

摘要:本文介绍了无锡灵山梵宫LED照明工程的特点,从系统的角度,描述灯具、控制器、布局、信号传输的解决方案。

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/24/105359_69.htm2012/4/24 10:53:59

直下式LED背光模组的薄化设计研究

为实现直下式LED背光模组的薄化设计,文章提出了一种新型的光学设计方案,使用大量出光角度LED,配合新型的光学架构,减少混光距离,从而实现薄化设计。

  https://www.alighting.cn/resource/20150318/123448.htm2015/3/18 14:29:32

LED的重要参数释疑

LED的重要参数简要的解释;

  https://www.alighting.cn/resource/20081126/128826.htm2008/11/26 0:00:00

投光灯具的热试验测量

投光灯具的热试验测量

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12339.htm2007/2/8 11:21:44

gan/aln半导体异质结带阶原胞法计算

为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62ev,

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00

mocvd外延al_2o_3基algan/gan晶格的结构和光学特性

3)衬底上生长的algan/gan晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

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