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在si衬底GaN基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
大,衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱LED的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光LED 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩LED芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基LED 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量LED电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展，阐述了为改善LED性能的一些新措施，LED在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
