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gan发光二极管的可靠性研究进展

1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结gan蓝光led,ganled得到了迅速的发展。ganled以其寿命长、耐冲击、抗震、高

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

八年迪司迎来新征程

本报讯(记者 周刚)近日,江门迪司照明科技有限公司在新落成的工业园举行盛大乔迁庆祝活动。江门市高新区区委书记梁许赞、广东省照明电器协会会长全健及其合作伙伴等嘉宾齐聚一堂,纷纷为

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313150.html2013/4/1 15:36:03

pps聚苯硫醚聚苯硫醚板棒

聚苯硫醚全称为聚苯硫醚,是分子主链中带有苯硫的热塑性树脂,英文名为polyphenylene sulfide(简称pps)。pps是结晶型(结晶度55%-65%)的高刚性白

  http://blog.alighting.cn/stqxcl/archive/2010/1/22/25854.html2010/1/22 21:57:00

中国照明“好芯人”——金德电器

中国照明“好芯人”——金德电器公司名称:江门金德电器有限公司领 军 人:彭卫明企业简介:金德成立于2001年7月1日,公司专注于灯具控制器和光源产品的研发、制造和销售。产

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/11/21/299392.html2012/11/21 10:05:11

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