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中村修二:“效率还能提高” ucsb将无极性led的外部量子效率提至41%

美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)与日本科学技术振兴机构创造科学技术推进事业(jst erato)联合开发出了高外部量子效率的无极性发光二级管(led)和半极性led。

  https://www.alighting.cn/resource/20061218/128479.htm2006/12/18 0:00:00

【专业术语】量子阱(quantum well)

本文简单的介绍了量子阱(quantum well)的定义和简要的描述,希望能够给初学者借鉴。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05

影响led显示屏逐校正效果的因素分析

目前,逐校正已经渐渐成为全彩led屏中高端项目招标入围的必备条件。而各大通用控制系统厂商的技术进步和国产专业像素亮度采集设备的出现,也大力推动着逐校正的产业普及化应用进程。

  https://www.alighting.cn/resource/20110810/127328.htm2011/8/10 17:25:57

提高led外量子效率的研究进展

色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

概述:逐校正技术的未来发展趋势

校正在经历了90年代末-2008年近十年漫长的萌芽期、2008年-2010年三年的快速成长期之后,即将在理论与实践的积累过程中、在分工进一步细化、流程标准化、协议统一化、评

  https://www.alighting.cn/2011/11/28 10:16:46

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

gan led量子阱光发射模型

在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

东京都市大学制作出嵌入锗量子的硅基led

东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子的硅发光元件,并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激

  https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00

led显示屏逐校正技术在租赁屏中的应用

led显示屏逐校正技术是一种有效改善显示屏均匀性的手段。本文探讨了如何将该技术应用于led租赁屏的维护中,使得租赁屏长期保持良好的图像显示效果。

  https://www.alighting.cn/resource/20110324/127827.htm2011/3/24 17:33:03

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

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