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最新突破:led芯片抗反向静电能力达到3kv

韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称:“这种led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35

cree照明级多芯片组件新品xlamp? mp-l 和mc-e取得技术性突破

该技术的创新在于将照明级的高光效与传统白炽灯的色彩一致性优势完美结合在一起,能为每种色温提供单一的双步阶麦克亚当椭圆分档,从而不再需要购买多个小分档就能实现复杂的色彩混合。

  https://www.alighting.cn/resource/20100805/127923.htm2010/8/5 10:15:48

led散热取得突破 汽车与led成功整合有望实现

汽车上的灯光系统不但让驾驶者能实际了解汽车的状况,更提供了安全驾驶过程中,所必须兼具的条件。而新一代的光源led,这对许多消费者来说一点也不陌生,已进一步扩大应用于汽车上,并根据各

  https://www.alighting.cn/resource/20100906/128012.htm2010/9/6 11:07:33

cree照明级多芯片组件新品取得技术性突破

该技术的创新在于将照明级的高光效与传统白炽灯的色彩一致性优势完美结合在一起,能为每种色温提供单一的双步阶麦克亚当椭圆分档,从而不再需要购买多个小分档就能实现复杂的色彩混合。

  https://www.alighting.cn/resource/20100723/128368.htm2010/7/23 0:00:00

sdk研究led晶体生长新工艺:混合ppd工艺有望突破亮度极限

为了满足日益增长的市场需求,昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺,主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。

  https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00

新强:成功导入8英寸晶圆级封装技术 取得技术突破

根据新强光电可持续性的技术发展蓝图及leds发光效率的逐年提升,预估在二年后同样的一片8寸晶圆级leds封装即可达到100万流明的光输出。以此技术所发展的leds照明具备大量生产的

  https://www.alighting.cn/resource/20101117/128775.htm2010/11/17 0:00:00

全方位解析led芯片寿命测试

作为电子元器件,发光二极管已出现40多年,但长久以来,受到发光效率和亮度的限制,仅为指示灯所采用,直到上世纪末突破了技术瓶颈,生产出高亮度高效率的led和蓝光led,使其应用范

  https://www.alighting.cn/resource/2014/3/14/111042_48.htm2014/3/14 11:10:42

解决中国电子商务诚信问题该从哪入手?

诚信,从电子商务登陆中国以来,一直都是电子商务在中国快速发展的瓶颈

  https://www.alighting.cn/resource/2007627/V11639.htm2007/6/27 14:03:05

实名制难解电子商务诚信问题

中国电子商务发展目前最大的瓶颈是什么?在多次研讨会上,笔者听到商界和学术界的回答都是诚信问题。

  https://www.alighting.cn/resource/2007627/V11640.htm2007/6/27 14:05:49

高能效led照明领域的未来发展

主要内容:led国内目前发展状况、国内照明产品节能认证情况、现有发展瓶颈、过高的成本较少的资金投入制约市场的发展。

  https://www.alighting.cn/resource/2012/2/6/173448_77.htm2012/2/6 17:34:48

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