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附件是刘章生老师在论坛上所作的《倒装芯片键合技术》的主题演讲，欢迎下载参考!
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/6/102432_70.htm2013/12/6 10:24:32
本文为晶科电子(广州)有限公司工程部陈庆坚先生所做的关于倒装焊芯片的讲座，为重详细讲解了三种路线的比较以及倒装焊模组的优势之处，设计热管理，可靠性等诸多方面，推荐下载；
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126941.htm2011/10/31 18:04:02
针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件，描述了大功率led器件的热阻特性，建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线，以三类典型粘
https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37
日本zeon的子公司optes在“fpd international 2004”上展示了降低双折射的光学薄膜“新zeonor薄膜”。以往的“zeonor薄膜”也具有双折射低的特
https://www.alighting.cn/resource/20041101/128435.htm2004/11/1 0:00:00
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
d打造过程：倒装技术及工艺流
https://www.alighting.cn/resource/20150227/123569.htm2015/2/27 11:21:26
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
法制备了未掺杂zno薄膜。通过x射线衍射、拉曼光谱、光致发光光谱和吸收光谱对其结构和光学性质进行了表
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
