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研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
n基LED。这两台设备将安置于光鋐在台南的工厂内，与两台aix 2600g3 ht mocvd一起工
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光LED 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩LED芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量LED电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaN基LED的应用，然后详细介
https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光LED 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光LED 进行leebi，并对比未辐照的LED，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基LED 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
