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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光LED 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对蓝光LED 进行leebi,并对比未辐照的LED,研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
采用光激励与电激励的方式对algainp与inGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响LED理想因子的因
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
采用440nm短波长inGaN/GaN基蓝光LED芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光LED,研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
在si基板上形成的LED应该比蓝宝石基板LED便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有
https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25
本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
首次报道si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED的发展,本文主要介绍了提高GaN基LED外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35