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硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
灯不同，led灯基本上就是能发光的半导体芯片。白炽灯通过灯丝发光，荧光灯通过汞蒸气传导电流来发光。led灯通过一片熔合了氮化镓(GaN)的基底材料，加上电压就会发光。led灯更节
http://blog.alighting.cn/fangke/archive/2013/1/11/307063.html2013/1/11 9:46:47
年，国内企业芯片营收增长23%，达到80亿元。2011年，国内GaN芯片产能利用率在50%左右，全年产量仅为1150亿颗，产量增速为63%，远大于产值增速。整体来看，芯片的国产化率
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/9/306822.html2013/1/9 11:01:45
黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led照明灯具的中批量生产。据预测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2012/12/31/306139.html2012/12/31 8:49:19
管人员，对芯片制造和应用有着丰富经验。其中有德国亚森工业大学教授，axitron公司副总裁，GaN器件外延技术专家michael heuken教授；德国亚森工业大学教授，GaN器件外
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304609.html2012/12/17 19:39:08
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304554.html2012/12/17 19:38:37
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304525.html2012/12/17 19:38:17
d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaN基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总体形势是不容乐观的。 中科院苏州纳米技术
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304217.html2012/12/17 19:34:26
前全国有17家企业从事该研发工作，部分单位已有外延初步结果。国际上有两家大的企业，其方向是大型化、高效化。二是衬底制造设备。兰宝石长晶设备、碳化硅长晶设备已有较大进展，GaN长晶设
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304192.html2012/12/17 19:34:10
计开发出了具有自主智慧财产权的mocvd设备，并完成了第一代单腔体独立设备和高产出率的簇式生产系统的生产组装，成功地实现GaN基led外延片的发光。 经过设备原型机近1年的运行证明
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304165.html2012/12/17 19:33:48
