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利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
本文分析了用氧化铝（al2o3）和硅（si）作为led集成封装基板材料时的热阻对比。
https://www.alighting.cn/resource/20101229/128115.htm2010/12/29 17:36:21
效的产品数据访问和精确的计算有着极高的评价。附件为《reluxsuite 2014.2 软件套装》，欢迎大家下载学
https://www.alighting.cn/resource/2014/9/2/18933_63.htm2014/9/2 18:09:33
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
本文主要为intertek公司shelley ying讲解的灯具安全标准通用要求iec/ en 60598-1以及灯串产品的特殊要求iec/en 60598-2-20，现共享给各
https://www.alighting.cn/resource/20120929/126341.htm2012/9/29 11:27:02
500家大型b2b商务及行业网站，几乎包含了中国所有的相关行业和各种商务相关信息。
https://www.alighting.cn/resource/200783/V11759.htm2007/8/3 13:27:11
采用高温固相法合成了绿色荧光粉caba2(bo3)2∶tb3+并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496,549,588,622 nm,分别对应tb3+的5d4→7f6、5d4
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56
文章详细介绍了基于truec2技术非隔离buck拓扑，来实现18w极高精度日光灯led恒流控制。试验证明，全闭环truec2技术实时检测真实输出电流，免受输入电压、外部电感影
https://www.alighting.cn/resource/20130715/125460.htm2013/7/15 11:14:52
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
