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碳酸铯修饰al作为反射阴极的倒置顶发射oled器件

在有源( am) 显示中, 控制oled的薄膜晶体(thin film transistor, tft)通常制作于阳极一侧,这就要求tft必须是p型,而常规的非晶硅tft和多晶

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36

in组分对ingangan蓝光led的发光性质的影响

~160k 条件下造成很大的热,从而阻碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

ingan白光led光谱特征和结温相关性研究

结果表明:ingan白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54

led的应用及相关色温研究

文中介绍了led的优点及应用,针对led的相关色温使用傅里叶逼近、高斯逼近、多形逼近及正弦曲线逼近等方法进行曲线拟合,并采用k-均值聚类、文本聚类和模糊c聚类等方法进行聚类分

  https://www.alighting.cn/resource/20150310/123488.htm2015/3/10 14:04:58

led光辐射安全标准解读

简述了国内外对半导体发光二极(led) 光辐射安全标准研究的现状,详细介绍了led 光辐射安全要求与等级分类方法等标准的主要技术内容及测试方法,提出了如何通过将led 器

  https://www.alighting.cn/resource/20150310/123489.htm2015/3/10 13:54:43

led调光技术“一网打尽”

中的优劣

  https://www.alighting.cn/resource/20150309/123495.htm2015/3/9 14:49:03

技术突破:mos封装能效限制解除法门

本篇文章主要对目前mos封装当中存在的一些限制进行了介绍,并提出了改善的必要性。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123508.htm2015/3/6 14:24:23

gan结构相变、电子结构和光学性质

运用第一性原理平面波赝和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05

可塑模光学硅胶改善led灯及光源的设计

在led产品设计中,包括二级光学器件、导光、光导以及其他光学器件,可模塑硅胶正逐渐涌现为一种可行的选项。专门为半导体固态照明设计的新配方能够承受由led半导体结所产生的高温,

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 11:03:07

转移板材质对si衬底ganled芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganled外延材料,分别转移到新的硅板和铜板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

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