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氮化镓低维纳米结构的制备与表征

.研究了实验过程中工条件的改变对所制备gan纳米结构形貌特征的影响.对两种gan纳米材料的拉曼散射光谱进行了分

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04

广州亚运会照明工程项目设计方案

、上海世博会演中心之后全国第三个集体育、演活动为一体的大型综合场馆。该场馆的设计非常超前,与前两个场馆设施也有很大区

  https://www.alighting.cn/resource/2013/4/28/174716_56.htm2013/4/28 17:47:16

开关电源的理论知识

一份由兴柱/博士整理并主讲的关于介绍《开关电源开发人员所需具备的理论知识实践技能和工程素质》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/26 10:59:18

化合物半导体晶片和器件键合技术进展

半导体晶片直接键合技术已成为半导体工的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来

  https://www.alighting.cn/resource/20130424/125679.htm2013/4/24 10:53:06

硅基gan蓝光led外延材料转移前后性能

移的同侧结构相比,转移后的垂直结构gan蓝光led的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构led的gan层受到的应力比同侧结构led

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

cl_2/bcl_3icp刻蚀蓝宝石研究

本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随

  https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04

我国超高亮度led外延芯片国产化的回顾与展望

来自中国光协光电(led)器件分会的万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望,不错的资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详情。

  https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09

开关电源的理论知识

一份介绍开关电源开发人员所需具备的理论知识实践技能和工程素质,是由兴柱博士整理的讲义,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/11 11:13:38

绿色照明四要素再讨论

这篇文章是由复旦大学电光源研究所的善端撰写的,本文就绿色照明的评价指标:节能, 环保, 安全, 舒适逐一做了介绍,以及讨论了有关led的几个话题。

  https://www.alighting.cn/2012/12/27 14:38:28

提高应变弛豫与非极化/半极化gan技术

应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上gan的晶体特性和光学性能,并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。

  https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30

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