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研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
通过比较系统地阐述稀土节能灯,led灯以及平面无汞荧光灯在节能照明领域的发展概况,进而论述了稀土发光材料在其中的应用和发展前景。
https://www.alighting.cn/2013/5/7 13:18:50
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125706.htm2013/4/18 10:41:13
被蓝光和紫外芯片有效激发而发出红光，既可以用作“蓝+黄”模式的白光led的补光粉，也可以作为紫外芯片激发的红色荧光
https://www.alighting.cn/resource/20130415/125728.htm2013/4/15 11:13:54
对硅胶和环氧树脂的紫外光透过率、耐紫外光辐照和耐热特性进行了对比研究,进而提出了一种高效率、高可靠性的波长小于380nm的紫外led封装方案。实验结果表明,新封装结构的led,发
https://www.alighting.cn/2013/4/15 11:02:26
后,基质的晶格结构未发生变化;稀土eu3+掺杂摩尔分数为6%,煅烧时间为3 h时最佳;作为电荷补偿剂的na+的引入,较大地提高了荧光粉发光强度。该荧光粉可被394 nm近紫外光激
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:33:42
提出了针对多管uv-led的空间合理阵列排布光学设计方案,以实现空间能量累加且控制辐照面的光斑尺寸、辐照度、后工作距离等光学指标,经过light-tools软件的优化设计与光学仿真
https://www.alighting.cn/2013/3/29 10:06:45
固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把ingan半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外
https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59
