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纤锌矿gan柱形量子点中类氢施主杂质态

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子

  https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12

蓝宝石衬底的图形化技术在gan基led上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题,蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配,直接在蓝宝石衬底上生长出来的延缺陷严重。出光效率低下,大部分光被限制在led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

复旦大学:led的光输出效率

《led的光输出效率》运用菲涅耳折射反射公式,首先计算从led芯片出射到封装材料中的配光曲线,以及这一界面的光输出效率;其次计算了封装材料与空气界面的出光效率;并由此得到简单封

  https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/151520_53.htm2011/6/20 15:15:20

发光二极管(led)光取出原理

本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理,是不错的led延芯片基础知识,共享于此,希望可以帮助大家学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34

不同in组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱的表面光伏谱

本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

钱观荣:世博中心室内照明设计(ppt)

有一个报告综合了数个获奖案例,以及一个行业资深人士的案例报告,与你分享项目的精彩。   以下是现代设计集团华东建筑设计研究院有限公司钱观荣先生“世博中心室内照明&

  https://www.alighting.cn/resource/2010630/V1120.htm2010/6/30 10:39:58

改善红光led提取效率的创新型技术

对目前的红光led来说,拥有更好的提取效率已经不是不可能的事了,这是由于拥有特殊设计的穿透和反射层的原因,该产品已于晶元光电的两条产品在线开发完成。

  https://www.alighting.cn/resource/20090722/128991.htm2009/7/22 0:00:00

led日光灯电源内置卸整体创新设计思考

从技术和市场经济的角度对led日光灯具的驱动电源设计技术进行分析,说明目前led灯具长寿命的难点是铝电解电容器本身性能所致,建议革新结构、创新设计led日光灯可方便内置卸的驱

  https://www.alighting.cn/resource/2012/9/24/151935_24.htm2012/9/24 15:19:35

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