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本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进行
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆，今后这一情况也仍将继续，因此使用硅基gan基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有效
https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25
影响led散热的主要因素包含了led晶粒、晶粒载板、晶片封装及模组的材质与设计，而led及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出，所以led晶粒 基板及led晶片封装的设计
https://www.alighting.cn/2012/8/31 16:13:49
荧光粉是led中最重要的关键技术和原材料之一，2011年国内led荧光粉的需求量将达2.5亿元，并且随着led技术的不断进步，对各种荧光粉的需求将会保持可观的增长率。但是目前国内缺
https://www.alighting.cn/resource/20120503/126581.htm2012/5/3 16:20:00
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用gan类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，β-
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
