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本文分析了现有可控硅调光器用于led驱动时存在的问题,并根据人眼对光线反应非线性的特点,设计了一种利用普通pwm芯片结合外围电路搭建的可控硅非线性调光led驱动电路,分析了电路在
https://www.alighting.cn/2013/9/18 10:59:18
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
硅衬底led之所以引起业界越来越多的关注,是因为它比传统的蓝宝石衬底led的散热能力更强,因此功率可做得更大,cree就重点在发展硅衬底led,它目前存在的主要问题是良率还较
https://www.alighting.cn/resource/20110827/127250.htm2011/8/27 13:39:57
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本文分析了用氧化铝(al2o3)和硅(si)作为led集成封装基板材料时的热阻对比。
https://www.alighting.cn/resource/20101229/128115.htm2010/12/29 17:36:21
分析了led驱动电源设计中的可控硅调光。设计能兼容现行大多数调光器的led电源是降低led成本、迅速取代当前节能照明技术的关键。系统地分析了三端双向可控硅的工作原理和led驱动电
https://www.alighting.cn/2013/8/13 14:48:33
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
2007年12月11日,道康宁化合物半导体解决方案(dccss)业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发SiC材料技术。
https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00