站内搜索
采用激光加热基座法制备端部cr3+离子掺杂的蓝宝石单晶光纤,得到一体型蓝宝石单晶光纤荧光温度传感头.对所制备的荧光温度传感头的荧光温度特性进行了实验研究.结果表明,随着温度升高c
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
作为led衬底材料的蓝宝石成为led产业链条上一种关键的原材料，其品质的好坏对中下游产品的生产有着严重影响。蓝宝石长晶技术与设备工艺成为蓝宝石品质的重要保障。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:22:29
本文採取由上而下的方式，阐述亚洲蓝宝石长晶产业的趋势变化与厂商佈局策略，首先针对全球蓝宝石长晶产业现况与近年趋势加以说明;其次选取亚洲投入最为积极的韩国、中国与台湾的蓝宝石长晶产
https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:05:18
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
三星集团从蓝宝石晶棒至led封装的led产业供应链中，由三星led负责led外延、芯片与封装，为布局蓝宝石等led上游材料，其将通过与韩厂-hansol 在lcd三星lcd背光模
https://www.alighting.cn/resource/20100720/127975.htm2010/7/20 18:05:00
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
回顾了(0001)面蓝宝石衬底在led的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
