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使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
光材料，也是目前阻碍oled照明器件效率提高的主要技术难
https://www.alighting.cn/2012/10/23 17:57:49
目前单个uv-led 芯片不像白光芯片，其功率非常有限，因此为了获得大功率和使大功率uv-led器件稳定而可靠的工作，又要做到封装结构简单紧凑，就必须提出uv-led 阵列设计。
https://www.alighting.cn/resource/20151109/134039.htm2015/11/9 14:01:53
led倒装芯片技术正在不断的发展，又在是在大功率、户外照明的应用市场上反应良好。但由于发展较晚，很多人不知道什么叫led倒装芯片，led倒装芯片的优点是什么？今天编辑就为你做一
https://www.alighting.cn/2014/7/23 9:55:19
介绍了一种大功率、高亮度led倒装散热封装技术。采用背面出光的蓝宝石led芯片,倒装焊接在有静电放电(esd)保护电路的硅基板上。该封装技术针对传统led出光效率低下和散热问题做
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125606.htm2013/5/14 13:15:35
基于led器件的调频特性，通过分析发光器件和封装的结构及其他关键光电性能，提出建议：通过降低rc时间以及载流子自发辐射寿命，有效改善led器件的响应速率，提高led的调制带宽。
https://www.alighting.cn/2015/3/5 14:58:22
膜。xrd测量结果表明利用该方法制备的gan薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用sem和tem观测了薄膜形貌,p
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
倒装芯片的实质是在传统工艺的基础上，将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面这时则由电极区面朝向灯杯底部进行贴装，可以省掉焊线这一工序，但是对固晶这段工艺的精度要求较高，一般很
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125401.htm2013/8/16 10:03:48
、raman谱、光致发光谱、红外透射谱、霍尔效应和表面粗糙度分析仪对制备的zno 薄膜进行了测试.分析了在不同衬底温度下薄膜的表面形貌、光学特性，同时进行了薄膜结构和厚度的测试.研究表
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
