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gan发光二极管的可靠性研究进展

1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结gan蓝光led,ganled得到了迅速的发展。ganled以其寿命长、耐冲击、抗震、高

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

[原创]厂家自产5050led贴片防水模组特别适合广告字用

led5050贴片模组厂家自产价格优惠led模组产品详细5050模组产品结构1、贴片模组在印制电路玻钎板焊接贴片灯珠,另加其他组件组成。2、防水模组体积小,有多种颜色可供客户选

  http://blog.alighting.cn/wswjlife/archive/2011/7/20/230460.html2011/7/20 16:45:00

pps聚苯硫醚聚苯硫醚板棒

聚苯硫醚全称为聚苯硫醚,是分子主链中带有苯硫的热塑性树脂,英文名为polyphenylene sulfide(简称pps)。pps是结晶型(结晶度55%-65%)的高刚性白

  http://blog.alighting.cn/stqxcl/archive/2010/1/22/25854.html2010/1/22 21:57:00

[原创]5050帖片 单色 3636 灌胶防水led模组

产品名称:5050帖片 单色 3636 灌胶防水led模组 产品型号: la-max010c led类型:smd5050 单色 输入电压:dc 12v 功率: 0

  http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/8/20/233234.html2011/8/20 9:28:00

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