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GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展，阐述了为改善LED性能的一些新措施，LED在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
采用光激励与电激励的方式对algainp与inGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响LED理想因子的因
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
在si基板上形成的LED应该比蓝宝石基板LED便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆，今后这一情况也仍将继续，因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有
https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25
采用440nm短波长inGaN/GaN基蓝光LED芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光LED，研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
首次报道si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
硅上氮化镓(GaN)LED的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED的发展，本文主要介绍了提高GaN基LED外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
