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钱塘江隧道中间段led照明系统评估研究

基于led光源的优点,钱江隧道拟在其中间段采用led照明,并将四款灯具(A、b、c、d)于现场试挂,评选出最好的led隧道灯。在4308小时评估周期中,定时测量并记录路面测试网

  https://www.alighting.cn/2014/2/20 16:00:23

led照明设计需要注意的技术细节

朗光学半导体公司2008年调查统计,全球每年家庭照明灯座出货量约为500亿

  https://www.alighting.cn/resource/2014/2/19/164114_43.htm2014/2/19 16:41:14

led区域照明架构与典型设计

理散热的话,还可支持大于1 A的大电

  https://www.alighting.cn/resource/2014/2/12/173519_81.htm2014/2/12 17:35:19

用llc半桥式控制器ucc25710实现led照明

明驱动,新的两级拓扑结构具有更高的效率以及更低的系统成本。基于该种多串变压器llc控制技术,研发了一款100wled照明驱动参考设计pmp4302A,其负载可以直接连接4串led负

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/20/15226_90.htm2013/12/20 15:22:06

刻蚀深度对si衬底gAn基蓝光led性能的影响

为200μm×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化。结果表明:刻蚀深度为0.8和1.29μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

led驱动高性能设计与成本控制探讨

led电流的精确度控制到与数字负载的供电电压的精度相同,既浪费电,又浪费成本。100mA到1A是当前大多数产品的电流范围,特别是目前350mA(或者更确切地说,光电半导体结的电

  https://www.alighting.cn/2013/11/25 16:03:09

大功率led芯片抗过电应力能力研究

大。实验结果表明:市场上常见的大功率led芯片失效的脉冲电流峰值范围在12A到35A

  https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/153954_33.htm2013/11/15 15:39:54

大功率led芯片抗过电应力能力研究

大。实验结果表明:市场上常见的大功率led芯片失效的脉冲电流峰值范围在12A到35A

  https://www.alighting.cn/resource/20131114/125121.htm2013/11/14 16:33:06

摩根图书馆扩建工程照明

项目的照明设计委托给rpbw和Arup,他们尤为关注两种类型的照明——自然光和人造光之间的相互影响。A重视为建筑群中的个房间选择泛光灯,设计师们相当迅速地运用l

  https://www.alighting.cn/resource/2013/11/7/145117_68.htm2013/11/7 14:51:17

高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化

本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究,制备正装高压发光二极管(hv led) ,其产业化光效已超过 110lm/w;10μA

  https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37

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