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ED恩多发射lED的目标具有挑战性的卤素替代应用

装在板上芯片（cob）封装，采用的是金属芯电路板。lED是下降到2700k的持续关连交易。该阵列被电三个串联连接的发射器配置为三个并行串。多发射器的方法使lED恩金控制cct 3麦克亚

http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/9/2/288905.html2012/9/2 13:13:30

lED芯片的组成与分类

lED芯片的组成与分类 lED芯片是由p层半导体元素，n层半导体元素靠电子移动而重新排列组合成的pn结合体。lED芯片是五大原物料：芯片，支架，银胶，金线，环氧树脂中最重要的组

http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/4/1/39224.html2010/4/1 8:28:00

什么叫lED芯片或晶片,lED芯片有什么作用?

lED芯片俗称lED发光芯片,简称芯片或晶片。lED芯片是一种固态的半导体器件，可以直接把电转化为光能，同时lED芯片就是lED红外灯的核心组件。平时大家所说的lED红外

http://blog.alighting.cn/110231/archive/2012/8/31/288782.html2012/8/31 10:35:25

[原创]cree芯片lED

全避专利lED，采用美国cree芯片+日本专利荧光粉=全避专利lED，可以出口日本.欧美等全世界，如果有专利纠纷我司全全负责 cree芯片smd 3528 5050 3629可

http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2009/12/22/22012.html2009/12/22 19:28:00

lED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

lED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

lED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

lED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

lED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

lED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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