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晶能光电成功研制硅衬底高功率InGaN led

据了解,晶能光电长期致力于研制gan-on-si mocvd生长技术,该公司总部坐落于江西南昌,本次演示的是一款冷白光led,在350ma电流下光输出超过100流明,采用1x1mm

  https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00

中国科学家设计出新型量子点发光二极管

科研人员解释说,在半导体材料中,如果电子掉进空能级的空穴,就会发出光子,这被称为“电子空穴复合”。然而,能复合的电子和空穴在物质中并不是常存在的,复合过程需要电激发或光激发。发光二

  https://www.alighting.cn/news/20150123/97149.htm2015/1/23 9:30:15

evident授权三星使用其量子点led专利技术

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100508.htm2011/5/9 11:02:19

vishay推出新型0.9mm 厚led

vishay intertechnology公司推出采用氮化铟镓(InGaN)技术、具备低电阻及高光功率特性的全新暖白色smd led──vlmw611..与vlmw621..系

  https://www.alighting.cn/news/20080314/119690.htm2008/3/14 0:00:00

华灿光电股份有限公司王江波: 创新性光源——InGaN基led芯片技术研究与展望

王江波也指出了ingam基led芯片技术研究重点与挑战,主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光led效率提升等三个方面。

  https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44

通过量子点放射色光,白光led发光效率创新纪录

美国光学学会的研究人员利用奈米材料制作出白光led,发光效能达每瓦105流明,写下新纪录。

  https://www.alighting.cn/news/20180717/157668.htm2018/7/17 9:23:03

首尔半导体声明:对InGaN系led专利

首尔半导体日前宣布,美国得克萨斯法院经审议决定,活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。

  https://www.alighting.cn/news/200932/V18927.htm2009/3/2 10:40:12

量子点和gan成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, gan基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

日本led大厂简介1:日亚化(nichia)

总部位于日本四国德岛县阿南市的led大厂日亚化(nichia),是全球最大的InGaN系led厂商,其专利商品白光led产品佔营收比重高达一半,而日亚化的萤光粉事业也是公司获利金

  https://www.alighting.cn/news/20070911/93130.htm2007/9/11 0:00:00

中村修二:InGaN是奇迹般材料 日媒诺奖报道有失偏颇

InGaN的确是一种奇迹般的材料。没有这种材料,就无法实现高亮度蓝色led。”因开发蓝色led而获得2014年诺贝尔物理学奖的美国加州大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)教授中村修

  https://www.alighting.cn/news/20150729/131339.htm2015/7/29 9:31:37

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