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采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
功率型发光二极管(led)的发展迫切需要提高取光效率,基于微透镜阵列的二次光学设计是改善其取光效率的有效途径。建立了一种大功率led的封装结构,二次光学设计采用了微透镜阵列技
https://www.alighting.cn/resource/20130321/125842.htm2013/3/21 11:00:59
本文在宏观体块材料方面介绍了几类综合性能好的新型无机、有机非线性光学材料;在微结构非线性光学材料方面概述了光学超晶格等在设计方法上的进展，介绍了几种新型微结构材料的功能及实验结
https://www.alighting.cn/resource/20130312/125906.htm2013/3/12 11:04:28
触：可以产生一个整体的等温面，有效的扩大了散热面积，提高了散热效率。因此，平板热管已成为目前国内外半导体器件散热的主要方法之一。本文以led散热用微槽群平板热管为研究对象，主要研
https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:26:43
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
子力显微镜、微摩擦计和扫描电镜等对薄膜的表面形貌、摩擦系数和耐磨损性能进行了表征和测量.结果表明,用离子注入法制备过渡层大大提高了dlc膜与衬底的结合强度,薄膜的表面比较光滑,粗糙
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
利用pld方法沉积了si基zno薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，zno薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
线调换一下即可。使用了带氖灯的开关，关灯后仍然能形成微流通路，或借线安装双联开关的，会造成有时关灯后有闪光现象。维修led节能灯时，为安全应用英才取措施：隔离变压器隔离市
https://www.alighting.cn/resource/2013/1/7/171620_51.htm2013/1/7 17:16:20
内容包括功率led空间温度场分布及散热的研究、微区温度场的数值计算、微区温度场的测试、芯片面积的限制因素、功率led应用中的光学问题研究、led照明光学的特点、新型准直led光
https://www.alighting.cn/resource/2012/12/11/175050_22.htm2012/12/11 17:50:50
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
