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室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径，生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
本文主要阐述了algainp led和gan led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint，这方面经过科技界的不懈努力，已有显着提高，从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
本文将讨论急需解决的主要技术问题，归结为“三高一低”，即高光效、高显色性、高可靠和低成本的技术问题，实现低成本其实质上也是技术问题。解决这四大技术问题，需要在半导体照明产业链各个环
https://www.alighting.cn/resource/20120813/126467.htm2012/8/13 17:25:44
度有序的量子点结
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41
基led外延片(其主要结构包括：n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
