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从电气角度看，led日光灯既是光源，又极似灯具，它既要符合双端荧光灯安全标准gb18774-2002中对灯头部分尺寸和耐热、耐火的要求，也需要满足灯具标准gb7000.1-200
https://www.alighting.cn/resource/20120719/126503.htm2012/7/19 14:04:49
两阶段充电方式，并利用双闭环pid 控制实现了蓄电池的恒压限流充电。通过对该双闭环控制系统仿真研究，结果表明该模型合理有
https://www.alighting.cn/resource/20120510/126567.htm2012/5/10 11:05:45
lt3474和lt3475是具有宽pwm调光比的高电压、高电流、单信道和双信道降压型led转换器，能够以高达1a和1.5a的电流来驱动一个或多个led，以使每个led获得80流明
https://www.alighting.cn/resource/20120417/126606.htm2012/4/17 10:39:29
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
大多数芯片厂商所生产的大功率led芯片采用双电极结构，即正负极同在芯片一侧，因此芯片与支架之间的固定是无需导电性固晶胶的，这时较为理想的固晶胶应兼顾粘接牢、耐老化、绝缘和高导
https://www.alighting.cn/resource/20120222/126726.htm2012/2/22 9:30:53
国家半导体照明工程研发及产业联盟推荐性技术规范，目录：1、范围;2、规范性引用文件;3、定义;4、分类与命名;5、技术要求;6、试验方法;7、标志。
https://www.alighting.cn/resource/2012/1/10/102812_78.htm2012/1/10 10:28:12
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一种模
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
两阶段充电方式，并利用双闭环pid控制实现了蓄电池的恒压限流充电。通过对该双闭环控制系统仿真研究，结果表明该模型合理有
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/16/14318_03.htm2011/9/16 14:31:08
